hakuto离子刻蚀机7.5IBE用于芯片制造中厚铝
- 来源:
- 伯东企业（上海）有限公司
- 日期:
- 2023年6月8日
在高压、大功率器件及集成电路中, 铝布线要求能够承受高压、大电流, 在恶劣的环境下具备良好的可靠性, 因此需要一定厚度的铝.
沈阳某研究所采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
真空腔
1 set, 主体不锈钢,水冷
基片尺寸
1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷却,
离子源
? 8cm 考夫曼离子源 KDC75
离子束入射角
0 Degree～± 90 Degree
极限真空
≦1x10-4 Pa
刻蚀性能
一致性: ≤±5% across 4”
该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
离子源型号
离子源 KDC 75
Discharge
DC 热离子
离子束流
>250 mA
离子动能
V
栅极直径
7.5 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
2-15 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
20.1 cm
直径
14 cm
中和器
灯丝
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5 T: +886-3- ext 161
F: +86-21-5 F: +886-3-
M: +86 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究!
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真空腔
1 set, 主体不锈钢,水冷
基片尺寸
1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷却,
离子源
? 8cm 考夫曼离子源 KDC75
离子束入射角
0 Degree～± 90 Degree
极限真空
≦1x10-4 Pa
刻蚀性能
一致性: ≤±5% across 4”
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离子源 KDC 75
Discharge
DC 热离子
离子束流
>250 mA
离子动能
V
栅极直径
7.5 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
2-15 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
20.1 cm
直径
14 cm
中和器
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