Hakuto离子蚀刻机10IBE用于铁电薄膜研究
- 来源:
- 伯东企业（上海）有限公司
- 日期:
- 2023年6月8日
某研究所在 PZT 铁电薄膜的电学性能研究中运用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE.
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
基板尺寸：< Ф8 X 1wfr
样品台：直接冷却（水冷）0-90 度旋转
离子源：16cm 考夫曼离子源
均匀性：±5% for 4”Ф
硅片刻蚀率：20 nm/min
温度：<100
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数：
离子源型号： 离子源 KDC 160
Discharge：DC 热离子
离子束流：>650 mA
离子动能： V
栅极直径：16 cm Φ
离子束：聚焦, 平行, 散射
流量：2-30 sccm
通气：Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力：< 0.5m Torr
中和器：灯丝
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
研究表面采用伯东 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀工艺后, PZT薄膜的铁电性能几乎能恢复到蚀刻前, 如矫顽场值、漏电流、疲劳性能等, 铁电性能会得到更好的改善.有利于提高贴点存储密度, 降低生产成本.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5 T: +886-3- ext 161
F: +86-21-5 F: +886-3-
M: +86 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究!
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
基板尺寸：< Ф8 X 1wfr
样品台：直接冷却（水冷）0-90 度旋转
离子源：16cm 考夫曼离子源
均匀性：±5% for 4”Ф
硅片刻蚀率：20 nm/min
温度：<100
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数：
离子源型号： 离子源 KDC 160
Discharge：DC 热离子
离子束流：>650 mA
离子动能： V
栅极直径：16 cm Φ
离子束：聚焦, 平行, 散射
流量：2-30 sccm
通气：Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力：< 0.5m Torr
中和器：灯丝
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
研究表面采用伯东 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀工艺后, PZT薄膜的铁电性能几乎能恢复到蚀刻前, 如矫顽场值、漏电流、疲劳性能等, 铁电性能会得到更好的改善.有利于提高贴点存储密度, 降低生产成本.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5 T: +886-3- ext 161
F: +86-21-5 F: +886-3-
M: +86 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究!