Hakuto离子蚀刻机10IBE应用于碲镉汞晶体电学特性研究
- 来源:
- 伯东企业（上海）有限公司
- 日期:
- 2023年6月8日
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 应用于碲镉汞晶体电学特性研究
某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉汞晶体进行蚀刻, 并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性.
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
基板尺寸：< Ф8 X 1wfr
样品台：直接冷却（水冷）0-90 度旋转
离子源：16cm 考夫曼离子源
均匀性：±5% for 4”Ф
硅片刻蚀率：20 nm/min
温度：<100
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数：
离子源型号： 离子源 KDC 160
Discharge：DC 热离子
离子束流：>650 mA
离子动能： V
栅极直径：16 cm Φ
离子束：聚焦, 平行, 散射
流量：2-30 sccm
通气：Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力：< 0.5m Torr
中和器：灯丝
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.
通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.
不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.
另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5 T: +886-3- ext 161
F: +86-21-5 F: +886-3-
M: +86 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
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某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉汞晶体进行蚀刻, 并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性.
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
基板尺寸：< Ф8 X 1wfr
样品台：直接冷却（水冷）0-90 度旋转
离子源：16cm 考夫曼离子源
均匀性：±5% for 4”Ф
硅片刻蚀率：20 nm/min
温度：<100
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数：
离子源型号： 离子源 KDC 160
Discharge：DC 热离子
离子束流：>650 mA
离子动能： V
栅极直径：16 cm Φ
离子束：聚焦, 平行, 散射
流量：2-30 sccm
通气：Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力：< 0.5m Torr
中和器：灯丝
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.
通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.
不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.
另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级.
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