研磨用β相碳化硅超细粉末50nm

研磨用β相碳化硅超细粉末50nm

立方碳化硅即β-SiC，又名贝塔碳化硅。不同于α碳化硅的六方晶型，立方碳化硅的结构属于类似于金刚石晶型的立方晶系。其特殊的晶体形态使得它具有接近于金刚的硬度，莫氏硬度为9.5-9.75。同时，立方碳化硅具有优秀的理化性能，例如很高的导热率、高电子漂移速度、高电子迁移率、宽能带隙、特殊电阻温度等电力性能 。立方碳化硅还具有良好的化学稳定性，特殊电阻温度、耐腐蚀、抗热震性能等。
Cubic silicon carbide β- SiC, also known as beta silicon carbide. Different from α The hexagonal crystal structure of silicon carbide belongs to a cubic crystal system similar to diamond crystal structure. Its special crystal morphology gives it a hardness close to that of diamond, with a Mohs hardness of 9.5-9.75. Meanwhile, cubic silicon carbide has excellent physical and chemical properties, such as high thermal conductivity, high electron drift rate, high electron mobility, wide bandgap, special resistance temperature, and other electrical properties. Cubic silicon carbide also has good chemical stability, special resistance temperature, corrosion resistance, and thermal shock resistance.

立方碳化硅的性能特点：
1.高纯度，常规碳化硅纯度99%，99.9%, 99.99%的也可以定制。
2.优异的耐高温、耐磨、耐腐蚀、抗辐射、抗热震性能。
3.具有高的禁带宽度，高的临界击穿电场和热导率，小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，以及抗辐射能力强，机械性能好等特性，适合制成半导体元件和光电元器件等。
4. 等离子破碎工艺生产，粒度精细度高。适合研磨抛光，也可根据客户要求定制。微米级和纳米级都可以提供。

技术指标：
晶体结构 立方晶系
晶相 β相
熔点 2700°
分解温度 2830°±40°
真密度 3.216g/cm3
热膨胀系数（100°） 6.58 x10-6 /°C
热膨胀系数（-100°） 2.98 x10-6 /°C
热导率 0.063-0.096 J/（cml.s.k）
莫氏硬度 9.5-9.75
维氏硬度（显微硬度） 2kg/mm2
磁化率 -12.8x10-6
压缩系数 0.21x10-6



型号 平均粒径 纯度（%） 晶型 颜色
β-SiC50nm 50nm 99% / 99.9% β相立方晶型 灰绿色
β-SiC500nm 500nm 99% / 99.9% β相立方晶型 灰绿色
β-SiC1um 1um 99% / 99.9% β相立方晶型 绿色
β-SiC3um 3um 99% / 99.9% β相立方晶型 绿色
β-SiC5um 5um 99% / 99.9% β相立方晶型 绿色
β-SiC8um 8um 99% / 99.9% β相立方晶型 绿色
β-SiC10um 10um 99% / 99.9% β相立方晶型 绿色

产品用途：
1. 精细研磨
2. 特种涂料
3. 精密碳化硅陶瓷
4. 半导体
5. 耐火材料
6. 电子元器件