半导体分立器件测试设备

系统概述：

设备的扩展性强，通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。采用了脉冲测试法，脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。



基础配置：

技术参数

ENJ2005-A型

ENJ2005-B型

主极电压

10mV-2000V

10mV-2000V

主极电流

100nA-50A

100nA-50A

扩展电流

100A、200A、400A、500A

250A、500A、750A、1000A、1250A

电压分辨率

1mV

1mV

电流分辨率

100nA

10nA(可扩展至10pA)

测试精度

0.5% 2LSB

0.2% 2LSB

测试速度

0.5mS/参数Parameter

0.5mS/参数Parameter



测试范围：

√

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测试器件

√

√

二极管 / DIODE

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绝缘栅双较大功率晶体管 / IGBT

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√

晶体管 / NPN型/PNP型

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MOS场效应管 / MOS-FET

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J型场效应管 / J-FET

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√

可控硅 / SCR

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双向可控硅 / TRIAC

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√

达林顿列阵 / DRALINTON

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√

光电耦合 / OPTO-COUPLER

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√

稳压、齐纳二极管 / ZENER

√

√

三端稳压器 / REGULATOR

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双向触发二极管 / DIAC



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硅触发可控硅 / STS



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光电开关 / OPTO-SWITCH



√

光电逻辑 / OPTO-LOGIC



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金属氧化物压变电阻 / MOV



√

固态过压保护器 / SSOVP



√

压变电阻 / VARISTOR



√

继电器 / RELAY



测试参数：

漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

击穿参数：BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM VBB、BVR、VD 、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

增益参数：hFE、CTR、gFS

导通参数：VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合参数：Rdson、Gfs、Input Regulation、Output Regulation

关断参数：VGSOFF

触发参数：IGT、VGT

保持参数：IH、IH 、IH-

锁定参数：IL、IL 、IL-