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四管扩散炉主要满足半导体电力电子器件、大功率集成电路等行业，对所加工硅片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统组成。选用工控机微控方式或程控方式操作。
炉管配置：1-4管/台
晶圆规格：4"、5"、6"、8"
炉体控制段：3/5段
恒温区长：760（800）mm / 1000mm
反应室配置：石英管/碳化硅管
加热体材料：KANTHAL APM/A-1 或相当
温度均匀性：℃ /±0.5℃
300-900℃ /±1℃
工艺温度范围：℃
大可控升温速度：15-20℃/min
大降温速度：（1250～1000℃ ) 8℃/min
控制系统：工业计算机(10"-15"液晶屏)
送片系统：SiC悬臂/双石英杆
净化等级：100级或更好
净化风流：水平或垂直
送片速度：100mm-500mm/min
定位精度：2mm
气源气路：EP级316L管道1/4"或3/8"
阀门组件：SWAGELOK或相当
管道焊接：自动轨道焊接
工艺保证：提供典型的工艺
炉管配置：1-4管/台
晶圆规格：4"、5"、6"、8"
炉体控制段：3/5段
恒温区长：760（800）mm / 1000mm
反应室配置：石英管/碳化硅管
加热体材料：KANTHAL APM/A-1 或相当
温度均匀性：℃ /±0.5℃
300-900℃ /±1℃
工艺温度范围：℃
大可控升温速度：15-20℃/min
大降温速度：（1250～1000℃ ) 8℃/min
控制系统：工业计算机(10"-15"液晶屏)
送片系统：SiC悬臂/双石英杆
净化等级：100级或更好
净化风流：水平或垂直
送片速度：100mm-500mm/min
定位精度：2mm
气源气路：EP级316L管道1/4"或3/8"
阀门组件：SWAGELOK或相当
管道焊接：自动轨道焊接
工艺保证：提供典型的工艺
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